Đối với tấm pin năng lượng mặt trời (BP), hãy sử dụng bộ phận làm sẵn có kích thước khoảng 35 mm × 10 mm, có điện áp mạch hở Lớn hơn hoặc bằng 2V và dòng điện ngắn mạch Lớn hơn hoặc bằng 8mA. Mạch tích hợp A là model YS414; tương đương có thể hoán đổi cho nhau bao gồm D7642, TA7642, CTC7642, YS7642, BS414, MK-484 và 2N414. Các bóng bán dẫn VT1 và VT2 đều phải là bóng bán dẫn NPN silicon công suất thấp, độ ồn thấp loại 9014 hoặc 3DG8; mức tăng hiện tại ( ) đối với VT1 phải nằm trong khoảng từ 40 đến 150 và đối với VT2, nằm trong khoảng từ 20 đến 60. Cuộn dây ăng ten ferit (L) phải được quấn thủ công bằng dây tráng men cường độ cao một sợi có đường kính 0,15mm; gió 82 quay thành một lớp dày đặc xung quanh một thanh ferit sóng trung 5mm × 35mm. Đối với tụ điện C1, chọn tụ điện biến thiên kín siêu nhỏ 5–200pF; sử dụng tụ gốm CT1 cho C2, C3, C6; và sử dụng tụ điện CD11-10 cho C4 và C5. Tất cả các điện trở từ R1 đến R5 đều phải là điện trở màng carbon RTX-1/8W. Đối với chiết áp RP, hãy chọn chiết áp màng carbon thu nhỏ WH15-1A không có công tắc. Sử dụng giắc cắm hai tiếp điểm CKX2-3.5 cho XS và tai nghe có trở kháng thấp 8Ω được trang bị phích cắm hai tiếp điểm CSX2-3.5.
Trong quá trình điều chỉnh, hãy điều chỉnh điện trở của R3 sao cho tổng mức tiêu thụ dòng điện của thiết bị xấp xỉ 4mA. Nếu dải tần thu sóng không bao phủ dải sóng trung bình (535–1605kHz), có thể hiệu chuẩn bằng cách dịch chuyển vị trí của cuộn dây ăng-ten dọc theo thanh ferit. Nhờ sử dụng mạch tích hợp chuyên dụng như YS414, mạch được xây dựng đơn giản và thường không yêu cầu điều chỉnh phức tạp. Vỏ có thể được chế tạo từ vật liệu tấm nhựa.